パラレルインターフェース又はシリアルインターフェース方式によって、コンピュータ間を直接結線､ 電話線､ ローカルエリアネットワークや他の通信手段で接続することによってデータを転送するためのフォーマットに関する規格。

ISO 14976 表面化学分析 － データ転送フォーマットを補完するためのフォーマットについての規格。表面化学分析スペクトルデータペースの構築、増強､変更のためのデータを送信するためのもので、オージェ電子分光法および X 線光電子分光法に適用される。

ボロンを注入して作製した認証標準物質で校正した均一添加試料を二次標準物質として用いて，単結晶シリコン中のボロンの原子濃度を決定するための二次イオン質量分析法について規定。 

グロー放電発光分光分析方法（GD-OES）をバルク分析か、深さプロファイル分析に適用する場合の指針を示す規格。

通常の分析用途に用いる場合の、単色化しない Al と Mg、単色化した Al を励起 X 線源として用いる X 線光電子分光装置の結合エネルギー軸目盛を校正する方法に関する規格。

オージェ電子分光法、X 線光電子分光法および二次イオン質量分析法における測定条件の関数として最適な深さ分解能を得るために、適切な単層および多層構造系標準物質を用いるスパッター深さ方向分析パラメータの最適手順について規定した規格。

SC 2 ～ SC 8 の活動に係わる 548 語の用語を定義・収載している。

SC 9 に関連する 227 の用語と 86 の頭字語（acronyms）を定義・収載している。

鏡面を持つシリコンウェーハ表面汚染元素濃度の全反射蛍光 X 線分光法（TXRF 法）による測定方法についての規格。

本規格は、適切な標準物質を利用して走査電子顕微鏡の像倍率を校正するための方法を規定するもので、ISO 16700:2004 の改訂第 2 版である。この方法は、倍率校正用の標準物質が有する構造サイズの範囲で決まる像倍率に適用が限定される。本規格は､さらに精確さと精度が要求される測長 SEM(CD-SEM) には適用しない。

電気亜鉛めっき、溶融亜鉛めっき鋼板などのめっきの付着量、めっき厚さ、めっきの合金化程度を、グロー放電発光分光法により測定する方法、定量化する方法などについて記述したもの。

この規格は一般的な分析のために、非単色化 Al および Mg の X 線源又は単色化した Al の X 線源を有する X 線光電子分光装置における強度軸の繰り返し精度と一定性の評価方法を定める。スパッタクリーニング用のイオン銃を備えている装置についてのみ適用できる。また、強度／エネルギー応答関数の校正を意図するものではい。ここに示す手順は装置使用時に保持されるべき強度／エネルギー応答関数の一定性を評価・確認できるデータを供給する。この一定性に影響を与える装置の設定についてもその指標を与える。

スタティック SIMS 測定における、正イオンの相対イオン強度の繰返し性、再現性及び一定性を確認する方法について規定する。本規格は、帯電中和用の電子銃を装備した装置だけに適用できる。この規格で規定する方法は、装置を使用するときに、相対強度の一定性を確認するデータを提供する。また相対強度の一定性に影響する幾つかの装置設定に関する手引きも含まれている。

表面分析を行う特に表面分析を実際に行う者に対して AES, SIMS およびXPS などの試料の装着および表面処理の方法に関する指針を与えるものである。

飛行時間型（TOF）SIMS 装置において、高強度領域では、検出器の飽和によって強度の線形成が保てない。本規格では、検出イオン強度の線形性を保証できる最大イオン強度を決定する方法、および、検出器の不感時間に到達したイオンに起因する非線形性を補正する方法を記述する。

二次イオン質量分析法において、極浅領域では、一次イオンの注入とスパッタリングが平衡に達していない過渡的状態にあるため、スパッタリング速度はバルク中とは異なる。本規格は、短周期多層デルタ標準物質を用い、SIMS 深さ方向分析における 50 nm 以下の極浅領域の深さスケールを校正する方法を記述する。

一般的な分析を目的として使用される飛行時間形二次イオン質量分析計（ＳＩＭＳ）装置における質量校正確度の最適化方法について規定 。

磁気セクター型二次イオン質量分析計又は四重極型二次イオン質量分析計のパルス計測方式における強度軸の線形性からのかい（乖）離を許容する最大計数率の測定方法について規定 。

最高水準での幾何学量を測定するために，走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）の走査軸を特徴付ける方法及び校正する方法について規定。 

シリコンウェーハ上にある不純物を化学的な方法を用いて濃縮する事により、全反射蛍光 X 線分析法の検出感度を向上させる方法に関する規格。

オージェ電子分光装置の基本仕様を共通で定めるために必要となるパラメータ（分析手法、試料、装置の構成と配置、電子線源、空間分解能とビーム電流、分光器の強度特性とエネルギー分解能、分光器のエネルギー軸、分光器の強度軸の直線性、分光器の応答関数、分光器の収差、分析領域、像ドリフト、真空環境など）の記述方法について規定する。主要なパラメータに関する説明も含む。

X 線光電子分光装置の基本仕様を共通で定めるために必要となるパラメータ（分析手法、試料、装置の構成と配置、X 線源、分光器の強度特性とエネルギー分解能、分光器のエネルギー軸、分光器の強度軸の直線性、分光器の応答関数、イメージング及び制限視野の分解能、帯電中和、角度分解 XPS、真空環境など）の記述方法について規定する。主要なパラメータに関する説明も含む。

二次イオン質量分析法を用いて注目する元素の濃度を校正する場合は、一般にイオン注入標準物質が用いられる。この規格は、SIMS による定量分析において、イオン注入標準物質から相対感度係数を求める手法を記述する。この方法は、均一な化学組成をもつマトリックス材料中に、イオン注入した元素のピーク濃度が 1 %を超えない場合に適用可能である。

磁気セクター型又は四重極型の二次イオン質量分析法を用いたシリコン内のボロンの深さ方向分布測定の方法，及び触針式段差計又は光干渉計を用いた深さ軸校正の方法について規定。 

主として元素の種類の同定を目的としたオージェ電子分光法（エネルギー分解能が中程度の場合）において、エネルギー軸を校正するための手法に関する規格。エネルギー分解能が 0.1% ～ 0.5% の場合で、エネルギー変調振幅が peak-to-peak で2 eV の場合に、N(E) モード、dN(E)/dE モードどちらの測定にも適用できる。

主として元素の種類の同定や化学状態の識別を目的としたオージェ電子分光法（エネルギー分解能が高い場合）において、エネルギー軸を校正するための手法に関する規格。一定 E/E モードでこの値で示すエネルギー分解能が 0.2% 以下、または一定 E モードでこの値で示すエネルギー分解能が 1.5 eV 以下であること、電子銃が 5 keV から 10 keV の間で操作できることなど、適用できるための条件は厳しい。

オージェ電子分光法とⅩ線光電子分光法において、実験的に求められた相対感度係数を均質な物質の定量分析に用いる場合の測定方法と使い方に関するガイドラインをまとめたもの。

イオン化方式が静的であり且つ質量検出器に TOF 形、2 重収束形、4 重極形などを用いる質量分析装置のデータを、コンピュータに保存、転送、あるいはデータベース構築するために、簡潔な形式のフォーマットにまとめたもので、校正情報や分析条件などの装置情報から成る。本フォーマットは ISO 14976 を補完する形に設計されている。

二次イオン質量分析法のスパッタ深さ方向分析において深さ分解能は重要なパラメータの一つである。しかし、深さ方向分解能は様々な要因に影響を受け、単一のパラメータで評価することは難しい。本規格では、SIMS の深さ分解能を記述するパラメータとして、上昇端ディケイ長、下降端ディケイ長、ガウス分布幅の 3つを用い、これらのパラメータをデルタ多層膜標準物質から導出する方法を記述する。

全反射蛍光Ｘ線（ＴＸＲＦ）分析法によって，水溶液に溶解した元素の定量方法について規定。０．００１　ｍｇ／Ｌ～１０　ｍｇ/Ｌの濃度の水溶液（例えば，飲料水，地表水，地下水）に適用する 。

ＡＦＭカンチレバーの垂直ばね定数を５　％～１０　％の精確さで決定するための五つの方法について規定。各方法は，寸法測定による方法，静的試験による方法及び動的試験による方法の三つのカテゴリーのうちの一つである。

弾性率が100 kPa to 1GPaの範囲にある材料について、原子間力顕微鏡を利用したフォースカーブをJKR 2点法で解析して決定するための手順、および、解析方法が記載されています。

波長分散分光器を用いる電子プローブマイクロアナリシスの実験条件を規定するものである。また同時にビーム電流、電流密度、不感時間、波長分解能、バックグラウンド、分析面積、分析深さ、分析体積の決定方法も規定している。

電子プローブマイクロアナライザ又は走査電子顕微鏡に装着した，波長分散Ｘ線分光器を用いて取得したＸ線スペクトルを解析することによって，試料の数μｍ＊３程度の体積中にある元素の同定及び特定元素の存在の有無を判定するための指針を示す。