ISO規格 TC 201
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ISO/TC 201 Surface chemical analysis 表面化学分析
ISO 5861:2024 - new -
SCA － X-ray photoelectron spectroscopy — Method of intensity calibration for quartz-crystal monochromated Al Kα XPS instrument's
「表面化学分析 − X線光電子分光法 − 石英結晶による単色化Al Kα XPS装置のための強度軸校正方法」 提案国：BSI（英国）
石英結晶により単色化したAl Kα X線を励起源として用いるX線光電子分光装置の相対応答率を決定する手順を規定する。参照物質には清浄な低密度ポリエチレンを用いる。清浄な低密度ポリエチレンから得られた信号強度を特定の電子運動エネルギーの参照強度と比較し、検出器に対する電子の応答率を決定する。
SCA － X-ray photoelectron spectroscopy － Guidelines for analysis
「表面化学分析 － XPS 分析の指針」 提案国：BSI（英国）
XPS の使用者に対し、典型的な試料の分析法を示す規格である。試料の取り扱いから分光器のエネルギー軸校正までの基本的な事項を説明する。ワイドスペクトル、ナロースペクトルの測定、定量計算や報告書の作成時における様々な注意事項についても解説する。
SCA － Scanning-probe microscopy － Measurement of drift rate
「表面化学分析 － 走査型プローブ顕微鏡 － ドリフト速度の測定」 提案国：SAC（中国）
SPM 走査中におけるドリフト速度を定義し、ドリフト量を、画像又は標準試料を利用して定量化する方法の規格。
SCA － General procedures for quantitative compositional depth profiling by glow discharge optical emission spectrometry
「表面化学分析 － グロー放電発光分光法による深さ方向成分プロファイルの一般的な定量化法」 提案国：SIS（スウェーデン）
検量線の成分含有率をスパッタリング速度で補正することにより、グロー放電発光分光法による深さ方向分析の定量化する方法を記述したもの。
SCA － Scanning-probe microscopy － Determination of cantilever normal spring constants
「表面化学分析 － 走査型プローブ顕微鏡法 － 片持ち式標準ばね定数の求め方」 提案国：BSI（英国）
片持ちカンチレバーの形状、熱振動スペクトル、標準カンチレバー、ナノインデンター等を利用して、カンチレバーの垂直ばね定数を測定する規格。
ISO 11952:2019 (JIS K 0159)
SCA － Scanning - probe microscopy－ Determination of geometric quantities using SPM: Calibration of measuring systems
「表面化学分析 － 走査型プローブ顕微鏡 － SPM を用いた幾何学量の決定：走査軸の最高レベルでの校正」 提案国：DIN（ドイツ）
SPM を用いてナノスケールでの寸法などの幾何学量を計測するためのガイド、ならびに、そのための走査軸の校正方法に関する規格。
SCA － Secondary-ion mass spectrometry － Method for depth profiling of arsenic in silicon
「表面化学分析 － 二次イオン質量分析法 － シリコン中ヒ素の深さ方向分析方法」 提案国：ANSI（米国）
SIMS で定量的な深さ方向分析を行うには、濃度と深さの両方を校正することが必要である。本規格は、単結晶、多結晶、あるいは非晶質のシリコン中に存在するヒ素を対象に、SIMS を用いて深さ方向分析を行う方法を記述する。深さスケールの校正は触針式段差計又は光学干渉計を用いて行う。イオン注入標準物質を用いた定量方法は ISO 18114 に従う。
SCA – Scanning probe microscopy – Standards on the definition and calibration of spatial resolution of electrical scanning probe microscopes (ESPMs) such as SSRM and SCM for 2D-dopant imaging and other purposes”
「表面化学分析－走査型プローブ顕微鏡－ 2D ドーパント画像化及び他の目的のための SSRM 及び SCM などの電子走査型プローブ顕微鏡の定義及び校正に関する規格」 提案国：KATS（韓国）
急峻なシリコン・シリコン酸化膜の境界を利用して、SRRM や SCM を測定する機器分解能を決定する規格
ISO 13084:2018（JIS K 0157）
SCA － Secondary ion mass spectrometry － Calibration of the mass scale for a time-of-flight secondary ion mass spectrometer
「表面化学分析 － 二次イオン質量分析法 － 飛行時間型二次イオン質量分析計の質量スケールの校正」 提案国：BSI（英国）
有機物や高分子の表面の分析では、複雑な分子の化学組成を高精度な質量分析から同定することが重要になっている。例えば、C₂H₂ と Si や CH₂と N の識別で 10 ppm の相対質量精度が必要である。質量精度の向上には、二次イオンの運動エネルギー分布を狭めること、装置パラメータおよび質量スケール校正の最適化がキーとなる。本規格では、一般的な物質を用いて、装置パラメータおよび質量スケールの校正方法を最適化する簡便な方法を記述する。
SCA － Atomic force microscopy － Procedure for in situ characterization of AFM probe shank profile used for nanostructure measurement
「表面化学分析－走査型プローブ顕微鏡－ナノ構造計測のために用いられる AFM探針形状のその場評価のための方法」 提案国：JISC（日本）
ナノ構造の三次元（主に断面）形状を正確に計測するための、AFM 探針形状標準試料を利用したその場評価方法、および、キャラクタライザの仕様に関する規格。
SCA － X-ray photoelectron spectroscopy － Reporting of results of thin-film analysis
「表面化学分析 － XPS － 薄膜分析の結果の報告方法」 提案国：JISC（日本）
X 線光電子分光法を用いて薄膜の膜厚や組成を分析した結果を報告するに際し、最低限必要となる情報を規定する。対象となる分析は、均質な薄膜の化学組成及び膜厚の測定、角度分解 XPS、XPS スパッタデプスプロファイリング、ピークシェイプ分析および X 線エネルギー可変 XPS を用いた不均一な薄膜の深さ方向の化学組成分析などである。
SCA － Characterization of nanostructured materials
「表面化学分析 － ナノ構造を持つ材料の表面分析法」 提案国：ANSI（米国）
各種表面分析法を用いたナノ構造物質の分析によって得られる情報について概要をまとめた技術報告。
ISO 14237:2010 ( JIS K 0143 )
SCA － Secondary-ion mass spectrometry － Determination of boron atomic concentration in silicon using uniformly doped materials
「表面化学分析 － 二次イオン質量分析法 － シリコン中に均一に添加されたボロン原子濃度の定量方法」 提案国：JISC（日本）
SIMS は、定量を行う場合に標準物質を必要とする。認証標準物質は高価であるため、各機関が用意可能で、認証標準物質を用いて校正し得る二次標準物質が、日常の分析には便利である。本規格は、ボロンを注入して作製した認証標準試料で校正した均一添加試料を用いて、単結晶シリコン中のボロンの原子濃度を決定するための二次イオン質量分析法についての手順を述べている。
ISO 14606:2022 (JIS K 0146）
SCA － Sputter depth profiling － Optimization using layered systems as reference materials
「表面化学分析 －スパッター深さ方向分析－ 層構造系標準物質を用いた最適化法」 提案国：JISC（日本）
オージェ電子分光法、X 線光電子分光法および二次イオン質量分析法を用いたスパッタ深さ分析において最適な深さ分解能を得るために、適切な単層および多層構造系標準物質を用いて実験パラメータを最適化する手順について規定した規格。
SCA － X-ray photoelectron spectroscopy － Measurement of silicon oxide thickness
「表面化学分析 － X 線光電子分光法 － 酸化シリコン膜厚の測定」 提案国：BSI（英国）
Si ウェハー基板上の Si 酸化薄膜の厚さを、XPS を用いて測定する方法を示した規格。8 nm 以下の厚さを持つ酸化膜を対象とし、2 種類の測定方法が規定されている。精度の高い方法では、手順が複雑ではあるが信頼水準 95% の場合に 1%程度の不確かさで結果が得られ、精度の低い方法では、手順が簡単であるが信頼水準 95% の場合の不確かさは 2% 以上となる。
ISO 14706:2014 (JIS K 0148)
SCA － Determination of surface elemental contamination on silicon wafers by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy
「表面化学分析 － 全反射蛍光 X 線分光法によるシリコンウェーハの表面汚染元素の測定法」 提案国：JISC（日本）
鏡面を持つシリコンウェーハ表面汚染元素濃度の全反射蛍光 X 線分光法（TXRF 法）による測定方法についての規格。
ISO 14707:2021 ( JIS K 0144)
SCA－ Glow discharge optical emission spectrometry (GD-OES) － Introduction to use
「表面化学分析 － グロー放電発光分光分析法 － 使用の手引」 提案国：JISC（日本）
グロー放電発光分光分析方法（GD-OES）をバルク分析か、深さプロファイル分析に適用する場合の指針を示す規格。初版は 2000-08-17 発行。
ISO 14976 表面化学分析 － データ転送フォーマットを補完するためのフォーマットについての規格。表面化学分析スペクトルデータペースの構築、増強､変更のためのデータを送信するためのもので、オージェ電子分光法および X 線光電子分光法に適用される。
パラレルインターフェース又はシリアルインターフェース方式によって、コンピュータ間を直接結線､ 電話線､ ローカルエリアネットワークや他の通信手段で接続することによってデータを転送するためのフォーマットに関する規格。
SCA － Glow discharge mass spectrometry－ Operating procedures
「表面化学分析 － グロー放電質量分析法通則」 提案国：BSI（英国）
固体中の微量元素分析のためのグロー放電質量分析装置の操作法や定量法を記述したもの。
ISO 15470:2017 (JIS K 0262)
SCA – X-ray photoelectron spectroscopy – Description of selected instrumental performance parameters
「表面化学分析 － X 線光電子分光法 － 装置性能を示す主要な項目の記載法」 提案国：BSI（英国）
X 線光電子分光装置の基本仕様を共通で定めるために必要となるパラメータ分析手法、試料、装置の構成と配置、X 線源、分光器の強度特性とエネルギー分解能、分光器のエネルギー軸、分光器の強度軸の直線性、分光器の応答関数、イメージング及び制限視野の分解能、帯電中和、角度分解 XPS、真空環境など）の記述方法について規定する。主要なパラメータに関する説明も含む。
ISO 15471:2016（JIS K 0161）
SCA － Auger electron spectroscopy － Description of selected instrumental performance parameters
「表面化学分析 － オージェ電子分光法 － 装置性能を示す主要な項目の記載法」 提案国：BSI（英国）
オージェ電子分光装置の基本仕様を共通で定めるために必要となるパラメータ（分析手法、試料、装置の構成と配置、電子線源、空間分解能とビーム電流、分光器の強度特性とエネルギー分解能、分光器のエネルギー軸、分光器の強度軸の直線性、分光器の応答関数、分光器の収差、分析領域、像ドリフト、真空環境など）の記述方法について規定する。主要なパラメータに関する説明も含む。
ISO 15472:2010（JIS K 0145）
SCA － X-ray photoelectron spectrometers － Calibration of energy scales
「表面化学分析 － X 線光電子分光装置 － エネルギー軸目盛の校正」 提案国：BSI（英国）
通常の分析用途に用いる場合の、単色化しない Al と Mg、単色化した Al を励起 X 線源として用いる X 線光電子分光装置の結合エネルギー軸目盛を校正する方法に関する規格 。
SCA － Depth profiling － Measurement of sputtered depth
「表面化学分析 － 深さ方向分析 － スパッタ深さ測定方法」 提案国：JISC（日本）
スパッタ利用深さ方向分析におけるスパッタ深さを測定するためのガイドラインについての技術報告。スパッタ深さ測定の方法は、固体試料の一部を通常数マイクロメートルまでのスパッタ深さまで除去するイオン衝撃を併用した表面化学分析手法に適用可能である。
SCA － X-ray photoelectron spectroscopy － Procedures for assessing the day-to-day performance of an X-ray photoelectron spectrometer
「表面化学分析 － XPS － X 線光電子分光装置の日常的な性能評価手順」 提案国：BSI（英国）
X 線分析装置の性能および状態をテストするための手順を示す。日常的にテストを実施できるよう、比較的短時間で効率的に装置の状態を把握するために必要な項目が記述されている。頻繁にかつ定期的に記録をとることにより、装置に問題が生じた場合は、その原因を調べる手助けとなる。
SCA － Auger electron spectroscopy － Recording and reporting data in Auger electron spectroscopy (AES)
「表面化学分析 － オージェ電子分光法 (AES) のデータ記録及び報告」 提案国：BSI（英国）
AES 分析の測定条件やスペクトル処理条件などについて、最低限の情報を記録に残して報告するためのガイドライン。
SCA － X-ray photoelectron spectroscopy － Recording and reporting data in X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)
「表面化学分析 － X 線光電子分光法 (XPS) のデータ記録及び報告」 提案国： BSI（英国）
XPS 分析の測定条件やスペクトル処理条件などについて、最低限の情報を記録に残して報告するためのガイドライン。
SCA － Proposed procedure for certifying the retained areic dose in a working reference material produced by ion implantation
「表面化学分析 －イオン注入表面分析用標準物質 － 実用標準物質に対する保持注入量標準化の手順」 提案国：ANSI（米国）
イオン注入実用標準物質（working reference material）の作製とその認証（標準化）の手順を記述する。
SCA － Evaluation of thickness, density and interface width of thin films by X-Ray reflectometry － Instrumental requirements, alignment and positioning, data collection, data analysis and reporting
「X 線反射率法による薄膜の厚さ、密度、界面幅の評価 － 装置の要求事項、光軸および試料位置の調整、データ取得、データ解析、結果報告」 提案国：UNI（イタリア）
X 線反射率法を用いて薄膜の膜厚、密度、界面厚さを評価する際の全般的な要求事項を記述したもの。
SCA － Depth profiling - Methods for ion beam alignment and the associated measurement of current or current density for depth profiling in AES and XPS
「表面化学分析 － 深さ方向分析 － AES および XPS における深さ方向分析のためのイオンビームの位置調整、および関連するイオン電流 / 電流密度の測定」 提案国：JISC（日本）
AES および XPS 装置に搭載されたイオン銃から発生するイオンビームを、正しい位置にアライメントする方法を示す。それにより、良好な深さ分解能を得ることを目的とする。
ISO 16962:2017（JIS K 0150）
SCA － Analysis of zinc-and/or aluminium-based metallic coatings by glow-discharge optical-emission spectrometry
「表面化学分析 － GD-OES による鋼板上の亜鉛及び／又はアルミニウム基めっきの分析法」 提案国：SIS（スウェーデン）
電気亜鉛めっき、溶融亜鉛めっき鋼板などのめっきの付着量、めっき厚さ、めっきの合金化程度を、グロー放電発光分光法により測定する方法、定量化する方法などについて記述したもの。初版は 2005-10-12 発行。
SCA － Depth profiling - Method for sputter rate determination in X-ray photoelectron spectroscopy, Auger electron spectroscopy and secondary-ion mass spectrometry sputter depth profiling using single and multi-layer thin films
「表面化学分析 － スパッタ深さ分析 － 単層もしくは多層薄膜を用いた XPS, AES, SIMS におけるイオンスパッタレートの測定方法」 提案国：KATS（韓国）
単層もしくは多層の、膜厚既知で測定試料と同じ物質で構成される薄膜標準物質から得られたスパッタリングレートを用いて、深さ方向プロファイルの横軸を「時間」から「距離」に換算する方法を示す。この方法で得られる典型的な精度は、20 から 200 nm 厚の膜を AES、XPS および SIMS でスパッタ深さ分析した際に、5 から 10% である。
ISO 17331:2004（JIS K 0160 ）
SCA － Chemical methods for the collection of elements from the surface of silicon-wafer working reference materials and their determination by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy
「表面化学分析 － シリコンウェーハ表面からの金属の化学的回収方法及び全反射蛍光 X 線分析法による定量方法」 提案国：JISC（日本）
シリコンウェーハ上にある不純物を化学的な方法を用いて濃縮する事により、全反射蛍光 X 線分析法の検出感度を向上させる方法に関する規格。
ISO 17560:2014（JIS K 0164）
SCA － Secondary-ion mass spectrometry － Method for depth profiling of boron in silicon
「表面化学分析 － 二次イオン形質量分析法 － シリコン内のボロンの深さ方向分析方法」 提案国：JISC（日本）
磁場型又は四重極型の質量分析計ならびに触針式深さ計又は光学干渉計を用いた、シリコン中のボロンの深さ方向分布測定方法を決定するための二次イオン質量分析法に関する規格である。この規格は、1 × 10¹⁶ atoms/cm³ ～ 1 × 10²⁰ atoms/cm³ の濃度範囲、及び測定時のクレータ深さが 50 nm 以上の場合に適用する。
SCA － Secondary ion mass spectrometry － Linearity of intensity scale in single ion counting time-of-flight mass analysers
「表面化学分析 － 二次イオン質量分析法 － 単一イオン計数飛行時間形質量分析器における強度軸の線形性」 提案国：BSI（英国）
この規格は，ポリテトラフルオロエチレン（PTFE）に対するスペクトルから求めた同位体比を用いた試験によって，単一イオン計数飛行時間形質量分析器における強度軸の線形性からのずれを許容限界内に抑えるために最大計数率を決定する方法について規定する。また，時間デジタル変換器（TDC）に接続されたマイクロチャンネルプレート（MCP），又はシンチレータ若しくは光電子増倍管で構成される検出系において，二次イオンが不感時間内に検出器へ到達することで起きる強度の数え落としに起因する強度軸の非線形性の補正方法について規定する。この補正によって95 %の線形性が保たれる強度範囲が50倍以上に拡張できる可能性がある。補正によって線形性の拡張を確認した質量分析器は，更に高い最大計数率まで用いることができる。また，この規格は，不感時間に対する補正が既に行われている装置に対して，計数率を更に高く設定できるかどうか検証する場合にも用いることができる。
ISO 17973:2024（JIS K 0165） - new -
SCA － Medium-resolution Auger electron spectrometers － Calibration of energy scales for elemental analysis
「表面化学分析 － 汎用オージェ電子分光器による元素分析のためのエネルギー軸の校正方法」 提案国：BSI（英国）
主として元素の種類の同定を目的としたオージェ電子分光法（エネルギー分解能が中程度の場合）において、エネルギー軸を校正するための手法に関する規格。エネルギー分解能が 0.1% ～ 0.5% の場合で、エネルギー変調振幅が peak-to-peak で2 eV の場合に、N(E) モード、dN(E)/dE モードどちらの測定にも適用できる。
ISO 17974:2002（JIS K 0166）
SCA － High-resolution Auger electron spectrometers － Calibration of energy scales for elemental and chemical- state analysis
「表面化学分析 － 高エネルギー分解能を持つオージェ電子分光器による元素分析及び化学状態分析のためのエネルギー軸の校正方法」 提案国：BSI（英国）
主として元素の種類の同定や化学状態の識別を目的としたオージェ電子分光法（エネルギー分解能が高い場合）において、エネルギー軸を校正するための手法に関する規格。一定 E/E モードでこの値で示すエネルギー分解能が 0.2% 以下、または一定 E モードでこの値で示すエネルギー分解能が 1.5 eV 以下であること、電子銃が 5 keV から 10 keV の間で操作できることなど、適用できるための条件は厳しい。
ISO 18114:2021（JIS K 0163）
SCA － Secondary-ion mass spectrometry － Determination of relative sensitivity factors from ion-implanted reference materials
「表面化学的分析 － 二次イオン質量分析法 － イオン注入標準物質を用いた相対感度係数の測定」 提案国： JISC（日本）
二次イオン質量分析法を用いて注目する元素の濃度を校正する場合は、一般的にイオン注入標準物質が用いられる。この規格は、SIMS による定量分析において、イオン注入標準物質から相対感度係数を求める手法を記述する。この方法は、均一な化学組成をもつマトリックス材料中に、イオン注入した元素のピーク濃度が 1 %を超えない場合に適用可能である。
ISO 18115-1:2023（JIS K 0147-1）
SCA － Vocabulary － Part 1: General terms and terms used in spectroscopy
「表面化学分析 － 用語 － パート１：一般的用語及び分光学のための用語」 提案国：BSI（英国）
SC9およびWG5に特有の用語以外の、表面化学分析に用いる639 語の一般的用語及び分光法に関する用語を定義している。
ISO 18115-2:2021（JIS K 0147-2）
SCA － Vocabulary － Part 2: Terms used in scanning-probe-microscopy
「表面化学分析 － 用語 － パート 2：走査型プローブ顕微鏡のための用語」 提案国：BSI（英国）
SC 9 に関連する走査型プローブ顕微鏡に関する275 の用語を定義している。
SCA － Vocabulary － Part 3: Terms used in optical interface analysis
「表面化学分析 － 用語 － パート 3：光学的界面分析のための用語」 提案国：BSI（英国）
WG 5 の活動に関連するエリプソメトリ、ラマン分光法、非線形光学技術などの光学界面分析分野における表面化学分析の用語と、一般的な光学用語を定義したものである 。
ISO 18116:2005（JIS K 0154）
SCA － Guidelines for preparation and mounting of specimens for analysis
「表面化学分析 － 分析のための試料準備と装着に関する指針」 提案国：ANSI（米国）
表面分析を行う特に表面分析を実際に行う者に対して AES, SIMS およびXPS などの試料の装着および表面処理の方法に関する指針を与えるものである。
表面分析のユーザー（分析依頼者）に対し、AES,SIMS,XPS などの分析で要求される試料の取扱い、準備、試料搬送容器に関する指針を与えるものである。
ISO 18118:2024（JIS K 0167） - new -
SCA － Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy － Guide to the use of experimentally determined relative sensitivity factors for the quantitative analysis of homogeneous materials
「表面化学的分析 － オージェ電子分光法及びⅩ線光電子分光法 － 均質物質定量分析のための実験的に求められた相対感度係数の使用指針」 提案国：JISC（日本）
オージェ電子分光法とⅩ線光電子分光法において、実験的に求められた相対感度係数を均質な物質の定量分析に用いる場合の測定方法と使い方に関するガイドラインをまとめたもの。
SCA － Surface characterization － Measurement of the lateral resolution of a confocal fluorescence microscope
「表面化学分析 － 表面特性評価 － 共焦点蛍光顕微鏡の横方向分解能の測定 」 提案国：KATS（韓国）
微小蛍光粒子を用いた共焦点蛍光顕微鏡の平面分解能に対する評価方法の規格であり、評価用サンプルの調製方法から解析方法まで記述されている。
SCA － X-ray photoelectron spectroscopy － Procedures for determining backgrounds
「表面化学分析 － XPS － バックグラウンド決定の手順」 提案国：MSZT（ハンガリー）
XPS スペクトルにおけるバックグラウンド決定についての指標を与えるものであり、このレポートに述べられているバックグラウンドの決定法は X 線励起により固体表面から脱出した光電子またはオージェスペクトルの評価に適用することができる。
SCA － Auger electron spectroscopy － Derivation of chemical information
「表面化学分析 － AES － 化学情報の抽出」 提案国：MSZT（ハンガリー）
X 線または電子線励起オージェスペクトルにおける化学効果の同定や、これを用いた化学的なキャラクタリゼーションについてのガイドラインを与えるもの。
SCA － Use of Total Reflection X-ray fluorescence spectroscopy in biological and environmental analysis
「表面化学分析 － 生物関連試料および環境関連試料の分析における全反射蛍光Ｘ線分光法の利用に関する技術仕様書」 提案国：UNI（イタリア）
全反射蛍光 X 線分析法（TXRF）は平坦な試料表面に存在する微量元素を高感度に分析する優れた分析法である。これまで、TXRF は半導体シリコンウェーハの汚染元素分析に活用され、標準化もその目的に絞られてきた。しかし、TXRF は本来、平坦な基板であれば用いることができる汎用性を持った分析法であり、得られる試料量が微量である場合でも、試料を平坦な基板上に固定して高感度分析を行うことができる。本規格では、バイオ・環境試料の TXRF 分析に必要となる分析装置、試料準備法方法、測定方法、データ解析方法などの指針を示すものである。
SCA － Determination of lateral resolution and sharpness in beam based methods with a range from nanometres to micrometres
「表面化学分析 － AES 及び XPS － 空間分解能の決定」 提案国：ANSI（米国）
AES および XPS における 2 次元方向の空間分解能の測定方法を定めるもの。
SCA － Electron spectroscopies － Procedures for identifying, estimating and correcting for unintended degradation by X-rays in a material undergoing analysis by X-ray photoelectron spectroscopy
「表面化学分析 － XPS － X 線光電子分光法における測定中の X 線による意図しない損傷の同定、評価及び補正方法」 提案国：BSI（英国）
XPS は一般的に非破壊分析手法であると認識されているが、一部の物質に対しては、測定中に X 線による試料損傷が生じ、組成の変化が観察される。この規格は、X 線照射に起因する試料損傷を同定・評価し、さらに損傷で生じた信号強度の減少もしくは増加を補正する方法を規定する。
SCA － X-ray photoelectron spectroscopy － Reporting of methods used for charge control and charge correction
「表面化学分析 － X 線光電子分光法 － 帯電の制御法と補正法の報告方法」 提案国：BSI（英国）
XPS 法を用いて内殻電子の結合エネルギーを測定する際に用いられる帯電コントロールと帯電補償の方法を記述するに際して、最小限必要となる情報を規定する規格である。併せて、この規格では、これまで結合エネルギーの測定の際に帯電コントロールや帯電補償として有効であることがわかった方法についても記述している。
SCA － Fundamental approaches to determination of lateral resolution and sharpness in beam-based methods
「表面化学分析 － ビームを使った表面分析法における空間分解能とシャープネスの基礎的な決定法」 提案機関：VAMAS
空間分解能の原理的な説明を示す。縞状パターン、シャープなエッジ、矩形格子の試料を使って計測した画像の基本的な解析手順を示す。空間分解能およびシャープネスに関係するそれらのすべての解析手順の比較を行う。オージェ電子分光やX 線光電子分光における空間分解能や観察領域に影響を与える物理的な要因を示すと共に、観察領域の決定方法を記す。
SCA － X-ray photoelectron spectroscopy － Estimating and reporting detection limits for elements in homogeneous materials
「表面化学分析 － Ｘ線光電子分光法―均一試料における元素の検出限界の算出方法ならびにその報告方法」 提案国：BSI（英国）
X 線光電子分光を使った元素の検知における検出限界の評価方法とその報告方法を示す。
SCA － Characterization of functional glass substrates for biosensing applications
「バイオセンシング技術応用に用いる機能的なガラス基板の特性」 提案国：DIN（ドイツ）
マイクロアレイなどのバイオセンシング技術において、ガラス基板はもっとも頻繁に用いられる。本レポートはガラス基板の開発者や品質管理者に向け，バイオセンシング技術に適したガラス基板特性とその表面での生体分子を安定化させるシラン、アミノシランなどを用いた表面コート技術について記述すると同時に、それらのガラス表面での状態を分析するために用いられるXPS、TOF-SIMS、NEXAFS などの表面分析技術について比較検討した 。
SCA － Electron spectroscopies － Minimum reporting requirements for peak fitting in X-ray photoelectron spectroscopy
「表面化学分析 － XPS － X 線光電子分光法におけるピークフィッティングの最低限の報告要件」 提案国：BSI（英国）
試料に複数の物質や化学状態が混在する場合、ピークの重なりによって XPSスペクトルは複雑な形状を示す。その様なスペクトルに含まれる情報を抽出するために、ピークフィッティング（ピーク合成）が用いられる。この規格は、ピークフィッティングが施されたデータを報告するにあたって最低限必要な項目を規定する。
ISO 20289:2018 (JIS K 0181)
SCA － Total reflection X-ray fluorescence analysis of water
「表面化学分析 － 水試料の全反射蛍光Ｘ線分析」 提案国：UNI（イタリア）
飲料水などの水溶液試料中の微量元素の全反射蛍光Ｘ線分析法について、試料準備手順、装置構成、解析手順、定量方法について規定する。
ISO 20341:2003（JIS K 0169）
SCA － Secondary-ion mass spectrometry － Method for estimating depth resolution parameters with multiple delta-layer reference materials
「表面化学分析 － 二次イオン質量分析法 － 多層デルタ標準物質を用いた深度分解能パラメータの推定方法」 提案国：KATS（韓国）
二次イオン質量分析法のスパッタ深さ方向分析において深さ分解能は重要なパラメータの一つである。しかし、深さ方向分解能は様々な要因に影響を受け、単一のパラメータで評価することは難しい。本規格では、SIMS の深さ分解能を記述するパラメータとして、上昇端ディケイ長、下降端ディケイ長、ガウス分布幅の 3つを用い、これらのパラメータをデルタ多層膜標準物質から導出する方法を記述する。
ISO 20411:2018 （JIS K 0158）
SCA － Secondary ion mass spectrometry － Correction method for saturated intensity in single ion counting dynamic secondary ion mass spectrometry
「表面化学分析 － 二次イオン質量分析法 － 単一イオン計数ダイナミック二次イオン質量分析における飽和強度のための接続方法」
提案国：JISC（日本）
パルス計測システムで使用する⼆次イオン質量分析法（SIMS）では、計数率が上がるに従って、検出器が飽和するため、信号強度と濃度との関係が非線形になることがある。この規格では、高計数率領域における線形性を評価する方法を説明し、又、ある状況下での飽和強度の補正方法を提供する。線形性の評価及び補正は、低濃度領域から高濃度領域の間で緩やかに濃度が変化する標準物質中の2 種類の同位体の深さ方向濃度分布分析に基づいた試験によって行う。
ISO 20579-1:2024 （JIS K 0158）－ new －
SCA － Sample handling, preparation and mounting — Part 1: Documenting and reporting the handling of specimens prior to analysis
「表面化学分析－試料の取扱い，準備及び取付け－第1部：分析前の試料の取扱いの記録及び報告」
提案国：ANSI（米国）
表面分析サービスの利用者が、表面分析用に提供する資料の選定及び準備に関して、分析者に報告すべき情報を規定する。この規格は、記載された分析測定が適切に実施されたことを確認するために必要な装置又は操作手順を規定するものではない。
SCA － Sample handling, preparation and mounting － Part 3: Biomaterials
「表面化学分析 － 試料の取扱い、準備及び取付けの指針 － 第3部：バイオマテリアル 」 提案国：JISC（日本）
表面化学分析に先立つ生体材料試料の取扱い、取付け、表面処理についての指針を示す。真空条件の影響や、分析・移植前後の汚染、分析時の汚染に関する問題などを扱っている。ここで対象とする生体材料（バイオマテリアル）は、金属、セラミック、足場材料、ポリマーなどであり、細胞、組織、生体などの生物由来の材料（バイオロジカルマテリアル）は対象としていない。
SCA － Guidelines to sample handling, preparation and mounting － Part4: Reporting information related to the history, preparation, handling and mounting of nano-objects prior to surface analysis
「表面化学分析 － 試料の取扱い、準備及び取付けの指針 － 第4 部：表面分析に先立つナノマテリアルの履歴、準備、取扱い及び取付けに関する報告情 報 」 提案国：ANSI（米国）
表面化学分析に先立つ準備のためのナノオブジェクトの取り扱いに関する報告書等に記載すべき情報を示す。この情報は、分析の信頼性と再現性を確保し、ナノオブジェクトの環境や生物学的影響を適切に理解するために必要である。
SCA － Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy － Methods used to determine peak intensities and information required when reporting results
「表面化学分析 － オージェ電子分光法および X 線光電子分光法 － ピーク強度の決定に用いる方法および結果の報告に必要な情報」 提案国：BSI（英国）
XPS や AES におけるピーク強度計測の報告に必要な事項を定めたものである。ピーク強度の測定方法および付随するその不確かさについての情報を与えるものである。
SCA － Scanning probe microscopy － Procedure for the determination of elastic moduli for compliant materials using atomic force microscope and the two-point JKR method
「表面化学分析 － 走査型プローブ顕微鏡法 － 原子間力顕微鏡によるソフトマテリアルの弾性率測定法」 提案国：JISC（日本）
弾性率が100 kPa to 1GPaの範囲にある材料について、原子間力顕微鏡を利用したフォースカーブをJKR 2点法で解析して決定するための手順、および、解析方法が記載されています。
SCA － X-ray photoelectron and Auger electron spectrometers － Linearity of intensity scale
「表面化学分析 － X 線光電子及びオージェ電子分光法 － 信号強度の直線性」 提案国：BSI（英国）
AES 及び XPS の測定で利用される分光器が、直線的な応答特性を示すと考えてよい最大計数率を見積るための方法に関する規格。併せて、直線的な応答特性からずれている場合に測定結果を補正するための規格を含む。
ISO 22048:2004（JIS K 0168）
SCA － Information format for static secondary-ion mass spectrometry
「表面化学分析 － 静的な二次イオン質量分析法用の情報フォーマット」 提案国：BSI（英国）
イオン化方式が静的であり且つ質量検出器に TOF 形、2 重収束形、4 重極形などを用いる質量分析装置のデータを、コンピュータに保存、転送、あるいはデータベース構築するために、簡潔な形式のフォーマットにまとめたもので、校正情報や分析条件などの装置情報から成る。本フォーマットは ISO 14976 を補完する形に設計されている。
SCA － Depth profiling － Measurement of sputtering rate: mesh-replica method using a mechanical stylus profilometer
「表面化学分析 － スパッター深さ分析 － メッシュ・レプリカ法を用いたスパッタリング深さの測定法」 提案国：JISC（日本）
金属メッシュのレプリカパターンをスパッタリングにより試料表面に形成することで、多様な材料系の実際のスパッタリング速度を求める手順を示し、深さ方向プロファイルの横軸の単位を「時間」から「距離」に換算する一手法を標準化するもの。
SCA － Secondary-ion mass spectrometry － Method for determining yield volume in argon cluster sputter depth profiling of organic materials
「表面化学分析 － 二次イオン質量分析法 － 有機物質のアルゴンクラスタスパッタによるデプスプロファイリングにおける収率量を求める方法」
提案国：BSI（英国）
この規格は，有機材料のアルゴンクラスタースパッタリング収率の測定⽅法を規定する。この⽅法は、平坦な基板上に，50 nm〜1000 nmの既知の厚さで均⼀な薄膜の標準試料の測定による。この規格は，深さ⽅向に均⼀な試料に適⽤される。
SCA － Near real-time information from the X-ray photoelectron spectroscopy survey scan － Rules for identification of, and correction for, surface contamination by carbon-containing compounds
「表面化学分析 － データ管理及び処 － X線光電子分光サーベイスキャンからの近リアルタイム情報ー炭素含有化合物の同定と表面汚染の補正のためのルール」 提案国：BSI（英国）
意図した成分として炭素化合物を含まないと考えられているが、スペクトルに C1s ピークが観察される材料上の薄膜の表面分析を支援する。C1sピークが表面汚染物によると同定された場合、スペクトルから得られた組成の炭素含有表面汚染の影響を補正することができる。
SCA － Secondary ion mass spectrometry — Method for the measurement of mass resolution in SIMS
「表面化学分析 — 二次イオン質量分析 — SIMS における質量分解能の測定方法」 提案国：SAC（中国）
「表面化学分析 — 二次イオン質量分析 — SIMS における質量分解能の測定方法」 提案国：SAC（中国）
SIMSにおける質量分解能の測定方法と、ピーク形状を考慮した異なる装置（TOF-SIMS、磁場型SIMS、四重極型SIMS、フーリエ変換SIMSなど）間の質量分解能の比較方法について規定したものである
ISO 23124:2024 - new -
SCA － Measurement of lateral and axial resolutions of a Raman microscope
「表面化学分析－ラマン顕微鏡の水平・垂直方向の空間分解能評価」 提案国：JISC（日本）
「表面化学分析－ラマン顕微鏡の水平・垂直方向の空間分解能評価」 提案国：JISC（日本）
ラマン顕微鏡の水平・垂直分解能を評価する規格であり、水平方向を評価するための試料としてカーボンナノチューブ、垂直方向を評価するための試料としてグラフェンを用いている。
SCA － Depth profiling -- Non-destructive depth profiling of nanoscale heavy metal oxide thin films on Si substrates with medium nergy ion scattering
「表面化学分析－深さ方向分析－中エネルギーイオン散乱法によるSi基板上のナノスケール重金属酸化物薄膜の非破壊深さ方向分析」 提案国：KATS（韓国）
中エネルギーイオン散乱法（MEIS）を用いて、Si基板上のアモルファス重金属酸化物極薄膜を深さ方向定量分析する方法について規定する。
SCA － Electron spectroscopies — Measurement of the thickness and composition of nanoparticle coatings
「表面化学分析－電子分光法－ナノ粒子表面コート層の厚さ及び組成の測定 」 提案国：BSI（英国）
XPSおよびAESを用いたナノ粒子表面コート層の分析に関する技術報告書である。コート層を評価するための複数の解析手法について、解析方法そのものに加えて、仮定や課題、不確実さなども含めて紹介されている。
SCA － Atomic force microscopy－ Guideline for restoration procedure for atomic force microscopy images dilated by finite probe size
「表面化学分析-原子間力顕微鏡-有限のプローブサイズによって拡張された原子間力顕微鏡画像の修復手順に関するガイドライン」
提案国：JISC（日本）
原子間力顕微鏡（AFM）プローブの先端部の定量的な特性評価と、有限のプローブサイズによって拡張されたAFMトポグラフィー画像の復元手順について記述している。プローブ先端部の 3 次元形状は、適切な標準物質を用いた画像再構成によって抽出される。本規格は、固体材料表面のAFMトポグラフィー画像の復元に適用される
ISO 23812:2009（JIS K 0156）
SCA － Secondary-ion mass spectrometry － Method for depth calibration for silicon using multiple delta-layer reference materials
「表面化学分析 － 二次イオン質量分析法 － 多層デルタ標準物質を用いた深さ校正方法」 提案国：JISC（日本）
二次イオン質量分析法において、極浅領域では、一次イオンの注入とスパッタリングが平衡に達していない過渡的状態にあるため、スパッタリング速度はバルク中とは異なる。本規格は、短周期多層デルタ標準物質を用い、SIMS 深さ方向分析における 50 nm 以下の極浅領域の深さスケールを校正する方法を記述する。
ISO 23830:2008（JIS K 0153）
SCA － Secondary-ion mass spectrometry － Repeatability and constancy of the relative-intensity scale in static secondary-ion mass spectrometry
「表面化学分析 － 二次イオン質量分析法 － スタティック二次イオン質量分析法における相対イオン強度の再現性と安定性」 提案国：BSI（英国）
スタティック SIMS 測定における、正イオンの相対イオン強度の繰返し性、再現性及び一定性を確認する方法について規定する。本規格は、帯電中和用の電子銃を装備した装置だけに適用できる。この規格で規定する方法は、装置を使用するときに、相対強度の一定性を確認するデータを提供する。また相対強度の一定性に影響する幾つかの装置設定に関する手引きも含まれている。
SCA － AES - Repeatability and constancy of intensity scale
「表面化学分析 － AES － 強度目盛の繰返し性、再現性及び一定性」 提案国：BSI（英国）
この規格は一般的な分析のために、2 keV 以上の電子で励起するときのオージェ電子分光器の強度軸の繰り返し精度と一定性の評価方法を定める。スパッタクリーニング用のイオン銃を備えている装置についてのみ適用できる。また、強度／エネルギー応答関数の校正を意図するものではない。ここに示す手順は装置使用時に保持されるべき強度／エネルギー応答関数の一定性を評価・確認できるデータを供給する。この一定性に影響を与える装置の設定についてもその指標を与える。
ISO 24237:2005（JIS K 0152）
SCA － X-ray photoelectron spectroscopy － Repeatability and constancy of intensity scale
「表面化学分析 － X線光電子分光法 － 強度目盛の繰返し性、再現性及び一定性」 提案国：BSI（英国）
この規格は一般的な分析のために、非単色化 Al および Mg の X 線源又は単色化した Al の X 線源を有する X 線光電子分光装置における強度軸の繰り返し精度と一定性の評価方法を定める。スパッタクリーニング用のイオン銃を備えている装置についてのみ適用できる。また、強度／エネルギー応答関数の校正を意図するものではい。ここに示す手順は装置使用時に保持されるべき強度／エネルギー応答関数の一定性を評価・確認できるデータを供給する。この一定性に影響を与える装置の設定についてもその指標を与える。
SCA － Analysis of metallic nanolayers on iron based substrates by glow-discharge optical-emission spectrometry
「表面化学分析 － グロー放電発光分光法による鉄系基板上の金属ナノレイの分析」 提案国：SAC（中国）
鉄系基板上の単層および金属ナノレイの厚さおよび単位面積あたりの質量を測定するためのグロー放電発光分光法 を規定する。
本規格は、鉄系基板上の厚さ 10 nm から 100 nm の単層および金属ナノ層に適用される。層の金属元素は、Cr、Ni、Ti、Mn、Alである。これに従って測定できるその他の元素は、P と S である
SCA － Determination of the minimum detectability of surface plasmon resonance device
「表面化学分析－表面プラズモン共鳴装置の最小検出能の決定」 提案国：KATS（韓国）
表面プラズモン共鳴装置による検出下限を求めるための規格である。評価用試料の調製の仕方や検出下限の算出について記載している。
SCA － Analysis of metal oxide films by glow-discharge－ optical-emission spectrometry (GD-OES)
「表面化学分析 －グロー放電発光分光法による金属酸化膜の分析法」 提案国：SIS（スウェーデン）
1 nm から10 μm 厚みの金属酸化物を、グロー放電発光分光法により測定する方法、定量化する方法などについて記述したもの。
SCA－ Scanning-probe microscopy － Definition and calibration of the lateral resolution of a near-field optical microscope
「表面化学分析 － 走査型プローブ顕微鏡 － 近接場光顕微鏡の空間分解能の定義と校正方法」 提案国：SIS（スウェーデン）
近接場で発生する光を計測しイメージングする近接場光顕微鏡法の空間分解能を定義し、その測定方法や埋め込み量子ドット（作成方法を含む）利用した分解能の決定方法に関する規格。
SCA － Data transfer format for scanning-probe microscopy
「表面化学分析 － 走査型プローブ顕微鏡法のためのデータ転送方法」 提案国：JISC（日本）
SPM に関する Data Transfer Formats の規格化を目的に日本から提出された規格である。
SCA - Auger electron spectroscopy - Reporting of methods used for charge control and charge correction
「表面化学分析 － オージェ電子分光法 － 帯電の制御法と補正法の報告方法」 提案国：ANSI（米国）
電子線励起によるオージェ電子分光法を用いて絶縁性材料を分析する際には、帯電制御が必要となる。この規格は、分析時に使用した帯電制御方法を記述するに際して、最小限必要となる情報を規定する。附属書には、オージェ電子分光法において有効な帯電制御方法が述べられている。
ANSI： 米国
JISC： 日本
BSI： 英国
KATS： 韓国
SIS：スウェーデン
DIN： ドイツ
SAC： 中国
SNV： スイス
UNI： イタリア
MSZT：ハンガリー
< お問い合わせ > 一般社団法人 表面化学分析技術国際標準化委員会 事務局 〒305-0051 茨城県つくば市二の宮 1-2-3 ベルコムつくばビル 202号室 TEL：029 -893 -5371 FAX：029 -893 -5372 E-MAIL：jsca@jsca-jisc.org アクセス
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